Quantum tunneling transistor belooft enorme energiebesparing
Onderzoekers van de Hong Kong Polytechnic University, de National University of Singapore, de Singapore University of Technology and Design en de Hong Kong University of Science and Technology hebben een quantum-effect tunneling field-effect transistor (TFET) ontwikkeld die de Boltzmann-limiet doorbreekt. Projectleider Jianhua Hao verklaarde dat dit de weg vrijmaakt voor ultra-low-power, high-performance geïntegreerde circuits die cruciaal zijn voor toekomstige AI-chips.
Het prototype, gebouwd met twee-dimensionale nanomaterialen van bismut en indium-selenide via laser-depositie, bereikt een poortspanning van 160 mV bij kamertemperatuur, ver onder de 800 mV die huidige state-of-the-art FET’s nodig hebben. Deze energiebesparing kan leiden tot een aanzienlijke vermindering van het stroomverbruik van microchips. De resultaten zijn gepubliceerd in Science, maar er is nog geen commerciële roadmap bekend. Meer details staan op de pagina van Hackster.io. Het artikel van Hackster.io verscheen op 3 september.
