Samsung verbetert chipproductie met atomaire precisie

Samsung heeft een aanpassing doorgevoerd aan **atomic layer etching **(ALE), een techniek die materiaal laag voor laag verwijdert. Dit zorgt voor meer controle bij het maken van transistoren op nanometerschaal, essentieel voor toekomstige chips. Huidige methoden zoals reactive-ion etching (RIE) beschadigen vaak het oppervlak bij extreme miniaturisering. ALE levert juist verticale wanden en preciese hoeken, ideaal voor driedimensionale transistorstructuren.

Het onderzoek, gepubliceerd in het Journal of Vacuum Science & Technology A, richt zich niet op een nieuwe chipgeneratie, maar op het haalbaar maken van ALE voor massaproductie. Tot nu toe was de techniek te traag en complex voor industriële toepassingen.

Samsung optimaliseert het proces als één geheel, in plaats van afzonderlijke stappen, om snelheid en betrouwbaarheid te verhogen. Dit brengt de methode dichter bij de praktijk, waar miljarden chips nodig zijn.

Meer informatie vind je op TW.nl.